Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Halbleitersubstraten

Verfahren zum Behandeln von Halbleitersubstraten, bei dem wenigstens ein Prozeßgas zur Behandlung der Substrate in einer ersten Kammer erzeugt wird und das Prozessgas anschließend in eine Prozeßkammer geleitet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Kammer eine Brennkammer ist und zur Bildung des Prozeßgases aus Wasserdampf und Wasserstoff Sauerstoff in einer wasserstoffreichen Umgebung in der Brennkammer verbrannt wird, wobei mehr Wasserstoff vorhanden ist als für die Verbrennung von Sauerstoff erforderlich ist. The aim of the invention is the simple and economical production of a hydrogen-rich process gas from water vapour and hydrogen, whereby the proportion of water vapour to hydrogen may be precisely controllable and reproducible. Said aim is achieved, with a method and device for the production of a process gas for the treatment of substrates, in particular semiconductor substrates, in which the oxygen for formation of a process gas, comprising water vapour and hydrogen, is burnt in a hydrogen-rich environment in a combustion chamber.