Verfahren zur Herstellung eines mikroelektronischen Bauelements

The invention relates to methods for producing a semiconductor element in a GaAs compound semiconductor material, especially a heterostructure GaAs semiconductor material, for example a hetero-bipolar transistor. The invention allows production of a low-impedance contact resistance with high long-term stability of the component properties in a simple and cost-effective process profile. Für die Herstellung eines Halbleiterbauelements in einem Verbindungs-Halbleiter-Material, insbesondere einem Heterostruktur-GaAs-Halbleiter-Material, z. B. eines Hetero-Bipolar-Transistors, werden Herstellungsverfahren beschrieben, welche eine Degradation der Bauelementeigenschaften durch aus einem metallischen Kontakt in eine aktive Halbleiterschicht eindiffundierendes Gold vermeiden.