Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtsensoren, insbesondere Heissfilmanemometern
The invention relates to a method for producing thin film sensors. The aim of the invention is to provide a method for the economical and effective large scale production of thin film sensors. To this end, sensor structures are applied (S10) to a glass substrate and the front of the composite from t...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | The invention relates to a method for producing thin film sensors. The aim of the invention is to provide a method for the economical and effective large scale production of thin film sensors. To this end, sensor structures are applied (S10) to a glass substrate and the front of the composite from the glass substrate and the sensor structures is immovably linked (S20) with a support. Large areas of the substrate material are then substantially removed (S31, S32, S33) from the back down to a final thickness (d) of the glass substrate. The optional steps of removal (S32; S33) serve to reduce the roughness of the back. The link between the support and the composite from the glass substrate and the sensor structures is then dissolved (S50). The inventive method is characterized in that comparatively thick glass substrates are coated, thereby substantially reducing the reject rate caused by breakage or deformation of the glass substrates, even if the glass substrates of the finished thin film sensors are very thin. The inventive method also allows increasing the degree of automation in the production of thin film sensors.
Zur wirtschaftlichen und effektiven Herstellung von Dünnschichtsensoren in großer Stückzahl werden zunächst Sensorstrukturen auf ein Glassubstrat aufgebracht (S10) und der Verbund aus Glassubstrat und Sensorstrukturen an dessen Vorderseite mit einem Träger unverrückbar verbunden (S20). Danach wird das Substratmaterial von der Rückseite her bis zu einer resultierenden Enddicke (d) des Glassubstrates weitgehend großflächig abgetragen (S31, S32, S33). Die optionalen Abtragschritte (S32, S33) dienen zur Verminderung der Rauheit der Rückseite. Schließlich wird die Verbindung zwischen dem Träger und dem Verbund aus Glassubstrat und Sensorstrukturen wieder gelöst (S50). Dadurch, dass bei diesem Verfahren vergleichsweise dicke Glassubstrate beschichtet werden, wird die Ausschussrate durch Bruch oder Verformung der Glassubstrate signifikant reduziert, auch wenn die Glassubstrate der fertigen Dünnschichtsensoren sehr dünn sind. Darüber hinaus kann mit diesem Verfahren der Automatisierungsgrad in der Dünnschichtsensorherstellung erhöht werden (Figur 1). |
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