Flußsensor des Wärmeerzeugungstyps

Flußsensor des Wärmeerzeugungstyps, welcher aufweist: ein Siliziumsubstrat (20); eine auf dem Siliziumsubstrat (20) angeordnete Membran (10), in deren einer Oberfläche ein Hohlraum (11a) vorgesehen ist, ein Flußratenmeßelement (1), das auf der Membran (10) vorgesehen ist, und einen Wärmeerzeugungswi...

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Hauptverfasser: YAMAKAWA, TOMOYA, TANIMOTO, KOUJI, ARIYOSHI, YUJI
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Flußsensor des Wärmeerzeugungstyps, welcher aufweist: ein Siliziumsubstrat (20); eine auf dem Siliziumsubstrat (20) angeordnete Membran (10), in deren einer Oberfläche ein Hohlraum (11a) vorgesehen ist, ein Flußratenmeßelement (1), das auf der Membran (10) vorgesehen ist, und einen Wärmeerzeugungswiderstand (2) aufweist, zur Ausgabe eines elektrischen Signals, welches einen Heizstrom angibt, der durch den Wärmeerzeugungswiderstand (2) fließt; ein Halterungsteil (13) zum Haltern des Flußratenmeßelements (1) auf der Membran (10) auf solche Weise, daß eine Oberfläche der Membran (10) einem Fluid zur Messung ausgesetzt ist, während das Fluid zur Messung nur schwer in den Hohlraum (11a) fließen kann, der in der anderen Oberfläche der Membran (10) vorgesehen ist; und eine Regeleinheit zur Durchführung einer derartigen Regelung, daß die Temperatur des Wärmeerzeugungswiderstands (2) um eine vorbestimmte Temperatur höher gehalten wird als die Temperatur des Fluids zur Messung, dadurch gekennzeichnet, daß der Wärmeerzeugungswiderstand (2) und die Membran (10) derartige Abmessungen aufweisen, daß das Verhältnis der Breite des Wärmeerzeugungswiderstands (2) zur Breite der Membran (10) im Bereich von 0,4 bis 0,6 liegt, und das Verhältnis der Länge (Yh) in Längsrichtung des Wärmeerzeugungswiderstands (2) zur Länge (Yd) der Membran (10) im Bereich von 0,4 bis 0,6 liegt. The device has a silicon substrate, a membrane with a hollow volume in a surface, a flow rate measurement element for outputting a signal representing a heating current in a heat generation resistance, a flow rate measurement element holding part and a regulation unit for holding the temperature of the resistance above the fluid temperature by a defined value. The ratios of the resistance and membrane widths and lengths are between 0.4 and 0.6. The device has a silicon substrate, a membrane on the substrate with a hollow volume in one surface, a flow rate measurement element on the membrane with a heat generation resistance for outputting a signal representing a heating current through the resistance, a holding part for the flow rate measurement element, and a regulation unit for holding the temperature of the resistance above the fluid temperature by a defined value. The ratios of the widths and lengths of the resistance and membrane are between 0.4 and 0.6.