Producing circuit structures on semiconducting substrate involves combining first dummy structure with second to exceed minimum size if envisaged structure smaller than minimum

The method involves using a lithographic process, whereby photo-lacquer structures are formed on the semiconducting substrate (5) to define dummy circuit structures. If an envisaged dummy structure (4) is smaller than a minimum size determined by the smallest required adhesive surface for photo-lacquer the first dummy structure is combined with a second to exceed the minimum size. An independent claim is also included for the following: a semiconducting substrate with functional circuit structures and dummy structures. Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Schaltkreisstrukturen auf einem Halbleitersubstrat (5), wobei Fotolackstrukturen gebildet werden, die funktionale Schaltkreisstrukturen (4) und Dummy-Schaltkreisstrukturen definieren, wobei die Dummy-Schaltkreisstrukturen (4), die unterhalb einer Mindeststrukturgröße liegen, mit einer zusätzlichen zweiten Dummy-Schaltkreisstruktur (6) verbunden werden. Die zusätzliche Dummy-Schaltkreisstruktur (6) ist so vorgesehen, dass die Mindeststrukturgröße überschritten wird, die durch eine kleinste notwendige Haftfläche des Fotolacks auf dem Substrat bestimmt wird. Weiterhin ist ein Halbleitersubstrat (5) vorgesehen, das funktionale Schaltkreisstrukturen (1) und Dummy-Schaltkreisstrukturen (4) aufweist, wobei Dummy-Schaltkreisstrukturen mit den zusätzlichen Dummy-Schaltkreisstrukturen (6) verbunden sind.