Production of a thin layer system comprises introducing power into the plasma in the form of a controlled number of pulses during deposition of extremely thin layers; and adjusting the average power during the pulse-one time

Production of a thin layer system comprises introducing power into the plasma in the form of a controlled number of pulses during deposition of extremely thin layers; and adjusting the average power during the pulse-one time by three times the power averaged over the whole coating time during the de...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: WINKLER, TORSTEN, HEBGEN, ARNO, BLUETHNER, RALF, JUNGHAEHNEL, MICHAEL, SCHNEIDER, HANS-HERMANN, MUELLER, MANFRED, GOEDICKE, KLAUS, BUCHBERGER, HANS
Format: Patent
Sprache:eng ; ger
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Production of a thin layer system comprises introducing power into the plasma in the form of a controlled number of pulses during deposition of extremely thin layers; and adjusting the average power during the pulse-one time by three times the power averaged over the whole coating time during the deposition of the layer. Preferred Features: The average power during the pulse-one time is adjusted by ten times the power averaged over the whole coating time during the deposition of the layer. The power is periodically or aperiodically introduced into the plasma in the form of a controlled number of pulses. Dieses Verfahren betrifft die Herstellung eines Dünnschichtsystems, welches mindestens eine extrem dünne Schicht, vorzugsweise im Schichtdickenbereich von 1 bis 10 nm, enthält, die durch plasmagestützte chemische oder physikalische Dampfphasenabscheidung unter Verwendung von Magnetronentladungen abgeschieden wird. DOLLAR A Gekennzeichnet wird es dadurch, dass bei der Abscheidung dieser extrem dünnen Schicht die Leistung in das Plasma in Form einer kontrollierten Anzahl von Leistungspulsen zugeführt wird und dass die mittlere Leistung während der Puls-Ein-Zeit mindestens um den Faktor 3 höher als die über die gesamte Beschichtungszeit während der Abscheidung der extrem dünnen Schicht gemittelte Leistung eingestellt wird.