Alignment error compensation method for exposure system used for semiconductor circuit manufacture calculates adjustment correction values dependent on alignment error between exposure planes

The alignment error compensation method has each initial exposure field (A1,A2,A3) illuminated by a first exposure device associated with a number of secondary exposure fields (B11,B12,B21,..) illuminated by a second exposure device and arranged in exposure field groups (B1,B2,B3). The alignment error between the exposure planes is measured via at one secondary exposure field and the corresponding initial exposure field, for calculation of individual adjustment correction values for the second exposure device. Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kompensation von Überlagerungsfehlern in einem Belichtungssystem, wobei in einer nachfolgenden Belichtungsebene liegende Belichtungsfeldgruppen (B1, B2) in individuelle Belichtungsfelder (B11, B12, B21, ...) ausgeteilt werden. Durch die anschließende Messung der dazugehörigen individuellen Überlagerungsfehler und Berechnung von dazugehörigen individuellen Justier-Korrekturwerten lassen sich die zweiten Belichtungsfelder (B11 bis B32) verbessert an die ersten Belichtungsfelder (A1 bis A3) anpassen, wodurch auch anspruchsvolle Halbleiterschaltungen mit feinen Strukturgrößen kostengünstig hergestellt werden können.