Semiconductor element used in the production of trench capacitors comprises a substrate with trenches whose walls are lined with a layer of insulating material and a liner layer of insulating material applied by a plasma process

Semiconductor element comprises a substrate (1) with trenches (15) whose walls are lined with a layer (10) of insulating material. A liner layer (8) made of insulating material and applied by a plasma process is arranged below the layer (10) of insulating material. An Independent claim is also included for a process for the production of a semiconductor element comprising providing trenches in a substrate, depositing a liner layer, providing a layer of insulating material using a deposition process, and anisotropically etching the layer of insulating material to remove it from the base of the trenches. Preferred Features: The substrate is made of silicon and the insulating material is made of silicon dioxide. The layer of insulating material is applied by an ozone-TEOS process. A nitride layer (5) is formed on the surface of the substrate and is partially covered with the liner layer. Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit den Schritten: Vorsehen eines Grabens (15) in einem Substrat (1); Abscheiden einer Linerschicht (8) auf der resultierenden Struktur durch einen nicht-konformen Abscheidungsprozess, so dass die Dicken (d¶L¶·1·, d¶L¶·3·) Linerschicht (8) an den Grabenwänden und auf dem Grabenboden wesentlich geringer sind als die Dicke (d¶L¶·1·) Linerschicht (8) auf der Substratoberfläche; Vorsehen einer Schicht (10) aus einem Isolationsmaterial auf der resultierenden Struktur durch einen konformen Abscheidungsprozess und anisotropes Ätzen der Schicht (10) aus dem Isolationsmaterial zum Entfernen der Schicht (10) von einem Bereich des Grabenbodens. Die Erfindung schafft ebenfalls ein entsprechendes Halbleiterbauelement.