Thin optical semiconducting film, producing it, equipment for producing this layer and reading devices
Předkládané řešení se týká optického polovodivého prvku (1), který vykazuje gradient optické absorpce a gradient impedančního spektra v oblasti vysokých frekvencí. Optický polovodivý prvek (1) obsahuje tenkou vrstvu (11), která je nanesena na substrát (14). Způsob obsahuje kroky rozprášení reakčních...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | cze ; eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | Předkládané řešení se týká optického polovodivého prvku (1), který vykazuje gradient optické absorpce a gradient impedančního spektra v oblasti vysokých frekvencí. Optický polovodivý prvek (1) obsahuje tenkou vrstvu (11), která je nanesena na substrát (14). Způsob obsahuje kroky rozprášení reakčních plynů pomocí alespoň dvou magnetronů (M1 a M2), přičemž mezi magnetrony (M1 a M2) je umístěna clona (3), která je schopná vertikálního pohybu. Další provedení představuje plazmový depoziční systém (5), který vykonává způsob vytváření optického polovodivého prvku (1). Další provedení se týká čtecího zařízení (9), které je schopné určit pravost předmětu, který je opatřen bezpečnostním prvkem s optickou polovodivou vrstvou.
The invention is an optical semiconductor device (1) which has an optical absorption gradient and an impedance spectrum gradient in the high frequency range. The optical semiconductor element (1) comprises a thin layer (11) which is applied to a substrate (14). The method comprises the steps of spraying the reaction gases by at least two magnetrons (M1 and M2), a diaphragm (3) is between the magnetrons (M1 and M2), which can move vertically. Another type is a plasma deposition system (5) that carries out a method of forming an optical semiconductor device (1). Another type relates to a reading device (9) that can determine the authenticity of an object which has a security element with an optical semiconductor layer. |
---|