INOCULATED LYOTROPIC SYSTEM CONTAINING CRYSTALS IN A LIQUID WITH VISCOSITY LOWER THAN 10 Pa.s AND PROCESS FOR PREPARING THEREOF
Naočkovaný lyotropní systém s obsahem krystalů s viskozitou nižší než 10 Pa.s. obsahuje 0,5 až 50 % hmotn. pevné látky nebo směsi pevných látek s volnou povrchovou energií 18 až 240 mN/m při velikosti částic pod 100 .mi.m, dále 5 až 55 % hmotn. známého smáčedla, s alespoň 8mi uhlíkovými atomy, nebo...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | cze ; eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | Naočkovaný lyotropní systém s obsahem krystalů s viskozitou nižší než 10 Pa.s. obsahuje 0,5 až 50 % hmotn. pevné látky nebo směsi pevných látek s volnou povrchovou energií 18 až 240 mN/m při velikosti částic pod 100 .mi.m, dále 5 až 55 % hmotn. známého smáčedla, s alespoň 8mi uhlíkovými atomy, nebo směsi smáčedel, popřípadě 0,01 až 40 % hmotn. polymeru, jehož hodnota a, charakterizující prostupnost pro prostředí má hodnotu alespoň 0,6, dále 0 až 67 % hmotn. vody nebo roztoku nesmáčivých látek, 0 až 40 % hmotn. rozpouštědla, nebo směsi rozpouštědel nebo roztoku nesmáčivých látek v rozpouštědle, 0 až 60 % hmotn. doplňkových smáčedel nebo jejich směsi a popřípadě další přídatné složky, přičemž celkové množství vody rozpouštědla a doplňkového smáčedla, užitého jako pomocná látka se pohybuje v rozmezí 15 až 94,5 % hmotn. Při způsobu přípravy tohoto systému se postupuje tak, že se systém očkuje 0,5 až 50 % hmotn. pevné látky s povrchovou volnou energií 18 až 240 mN/m při velikosti částic podŕ
The invention relates to a graft lyotropic liquid crystalline composition having a viscosity less than 10 Pa.s comprising a relative low amount of surfactant(s), optionally co-surfactant(s), and/or solvents, optionally a polymer being in relative stretched state and is partly or totally penetrable by the medium and a solid material having a surface free energy of 18 to 240 mN/m. |
---|