Power semiconductor device for circuits with quick switching components

Výkonová polovodicová soucástka pro obvody s rychlými spínacími soucástkami napr. IGCT, IGBT, jejíž základní cástí je kruhová desticka z monokrystalického polovodicového materiálu, kde k vrstve (1) výchozího polovodicového materiálu priléhá z jedné strany první krajní polovodicová vrstva (2) opacného typu elektrické vodivosti než má vrstva (1) výchozího polovodicového materiálu a je opatrená kovovým kontaktem tvorícím první elektrodu (4) soucástky. Z druhé strany kde k vrstve (1) výchozího polovodicového materiálu priléhá druhá krajní polovodicová vrstva (3) stejného typu elektrické vodivosti jako má vrstva (1) výchozího polovodicového materiálu a je opatrená kovovým kontaktem tvorícím druhou elektrodu (5) soucástky. V obou krajních vrstvách (2, 3) jsou vytvoreny koncentracní profily elektricky aktivních prímesí. Koncentrace elektricky aktivních prímesí opacného typu elektrické vodivosti než vrstva (1) výchozího polovodicového materiálu je v první krajní polovodicové vrstve (2) v místech, kde první krajní polovodicová vrstva (2) priléhá k první elektrode (4) soucástky je nižší než 5x10.sup.16.n. cm.sup.-3.n. a je soucasne alespon dvestekrát nižší než koncentrace elektricky aktivních prímesí stejného typu elektrické vodivosti jako vrstva (1) výchozího polovodicového materiálu v druhé krajní polovodicové vrstve (3) v místech, kde druhá krajní polovodicová vrstva (3) priléhá k druhé elektrode (5) soucástky. Koncentrace elektricky aktivních prímesí opacného typu elektrické vodivosti než vrstva (1) výchozího polovodicového materiálu je v první krajní polovodicové vrstve (2) v hloubce 60 .mi.m pod místy, kde první krajní polovodicová vrstva (2 The present invention relates to a power semiconductor device for circuits with quick switching components such as IGCT (integrated gate commutated transistor) or IGBT (insulated gate bipolar transistor) wherein the device is characterized in that its fundamental component is formed of a circular plate made of single crystal semiconductor material wherein a layer (1) of a starting semiconductor material is provided on its one side with a first extreme semiconductor layer (2) of opposite type of electrical conductivity if compared with that of said starting semiconductor material layer (1) and being provided with a metal contact forming a fist electrode (4) of the device, while on its other side it is provided with a second extreme semiconductor layer (3) of the same type of electrical conductivity if compared with that of