LED epitaxial structure with luminescent layer multi -quantum well transition layer

LED epitaxial structure with luminescent layer multi -quantum well transition layer relates to emitting diode technical field. The utility model discloses the active area includes the multi -quantum well layer and grows luminescent layer multi -quantum well layer on the multi -quantum well layer. Th...

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Hauptverfasser: LIN ZHENGZHI, WEI CHUNYU, LIANG QINGRONG, ZENG QIYAO
Format: Patent
Sprache:eng
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