Method for setting plasma chamber having an adaptive plasma source, plasma etching method using the same and manufacturing method for adaptive plasma source

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	SONG YEONG SU,OH SANG RYONG,KIM SHEUNG KI,KIM NAMHEON,OH YOUNG KUN,LEE DO HYUNG
Format:	Patent
Sprache:	eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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