Phase change random access memory (pram) device having variable drive voltages

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	CHO WOO-YEONG,KIM DU-EUNG,KANG SANG-BEOM,KWAK CHOONG-KEUN
Format:	Patent
Sprache:	eng
Schlagworte:	INFORMATION STORAGE PHYSICS STATIC STORES
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