Nitride semiconductor device
一种低电阻、具有可靠性优良的电极结构的氮化物半导体元件，在半导体层上，具有欧姆接触的第1电极及连接在其上面的、由不同于第1电极的形状构成的第2电极，其特征在于：第1电极和上述第2电极具有由形成第1电极表面的第1电极的上层和沉积在热处理后的第1电极上的第2电极的下层构成的接合层区，接合层区由铂族元素构成。 A nitride semiconductor device includes a semiconductor layer, a first electrode (605) for establishing an ohmic contact disposed on the semiconduc...
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|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | chi ; eng |
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| Zusammenfassung: | 一种低电阻、具有可靠性优良的电极结构的氮化物半导体元件，在半导体层上，具有欧姆接触的第1电极及连接在其上面的、由不同于第1电极的形状构成的第2电极，其特征在于：第1电极和上述第2电极具有由形成第1电极表面的第1电极的上层和沉积在热处理后的第1电极上的第2电极的下层构成的接合层区，接合层区由铂族元素构成。
A nitride semiconductor device includes a semiconductor layer, a first electrode (605) for establishing an ohmic contact disposed on the semiconductor layer, and a second electrode (606) on the first electrode (605), having a different shape from that of the first electrode (605). A joint region (613) is formed with the upper layer (605a) of the first electrode (605) and the lower layer (606b) of the second electrode (606). The joint region comprises an element of the platinum group. |
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