Semiconductor device and its manufacturing method

半导体器件具有绝缘膜。互连槽或过孔形成在绝缘膜中。互连图形或过孔埋置在互连槽或过孔。基本上平坦的硬掩模，形成在互连图形上，并提供有宽度比相邻互连图形之间的空间窄的开口部分，并且由相对于绝缘膜被选择性蚀刻的材料制成。 A semiconductor device has an insulating film. An interconnect groove or a via hole is formed in the insulating film. An interconnect pattern or a via hole is buried in the interconnect groove...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	TODA ASAYOSHI
Format:	Patent
Sprache:	chi ; eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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