SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

The invention discloses a semiconductor device and a manufacturing method thereof. The semiconductor device comprises a substrate, a bottom gate, a bottom gate dielectric layer, a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, a top gate dielectric layer, a top gate, a source and a drain....

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Hauptverfasser: CAI MINGYOU, CAI YUNTING
Format: Patent
Sprache:chi ; eng
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