Power semiconductor module
The present disclosure relates to a power semiconductor module (1) comprising: at least two groups (2, 3; 31, 32, 33, 34), the semiconductor switches (4) of each group (2, 3; 31, 32, 33, 34) are connected in parallel; a module gate contact (5); a group gate contact (6, 7) for each group; a first bra...
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Hauptverfasser: | , , |
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Format: | Patent |
Sprache: | chi ; eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
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