Semiconductor device

The embodiment of the invention provides a semiconductor device, which comprises a first control circuit, a second control circuit, a first control element and a second control element, a direct current amplification coefficient of a first parasitic element between a first control circuit and a firs...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: NAITO YUYA
Format: Patent
Sprache:chi ; eng
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