Semiconductor structure and forming method thereof

A semiconductor structure and a method of forming the same, the method including forming a first fin structure over a first region of a substrate and a second fin structure over a second region of the substrate, forming a first gate dielectric layer around the first fin structure and a second gate d...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: LIN ZONGDA, XU JIAWEI, LAI BEIYING, XU ZHI'AN
Format: Patent
Sprache:chi ; eng
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