Atomic layer deposition method

The invention discloses an atomic layer deposition method, which comprises the following steps of: providing ionized fluorine ions in a reaction cavity; introducing silane, nitric oxide and inert gas into the reaction cavity; applying a radio frequency sputtering method in the reaction cavity to gen...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: LIANG HEMING, MAO PENGFEI, CHEN YAQI, MEI SHENGLI, WU JIE, WANG TIESHUANG
Format: Patent
Sprache:chi ; eng
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