Deposition of carbon into nitride layer for improved selectivity of oxide to nitride etchrate for self aligned contact etching

Deposition of carbon into nitride layer for improved selectivity of oxide to nitride etchrate for self aligned contact etching

一种用于形成半导体器件中的自对准接触的方法，该方法包括：提供一个半导体基片，该半导体基片具有一个上表面，并在其上形成有一个开孔；在所述上表面的至少一部分之上和开孔之内形成一氮化物层；在该氮化物层的至少一部分结合进碳，以形成一个碳化的氮化物层。 A method for forming a Self Aligned Contact in a semiconductor device includes incorporating carbon into a nitride layer during or following the formation of the nitride layer on...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MARTIN GUTSCHE, BRUNO SPULER, JURGEN WITTMANN
Format: Patent
Sprache:chi ; eng
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:一种用于形成半导体器件中的自对准接触的方法，该方法包括：提供一个半导体基片，该半导体基片具有一个上表面，并在其上形成有一个开孔；在所述上表面的至少一部分之上和开孔之内形成一氮化物层；在该氮化物层的至少一部分结合进碳，以形成一个碳化的氮化物层。 A method for forming a Self Aligned Contact in a semiconductor device includes incorporating carbon into a nitride layer during or following the formation of the nitride layer on a semiconductor substrate.