Power semiconductor device

A power semiconductor device includes: a semiconductor body; a first load terminal structure and a second load terminal structure; an active region; a drift region; and a backside region including a first backside emitter zone and a second backside emitter zone. At least one of the first backside em...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: HAUF MARKUS, STOIB, BEAT, SCHULZ HANS-JUERGEN, SCHULZ HEINRICH, BABURSKE ROMAN
Format: Patent
Sprache:chi ; eng
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