Multi-patterning method

The invention relates to a manufacturing method of a semiconductor structure and a multi-patterning method. In the manufacturing process of a side wall structure of the multi-patterning method, an atomic layer etching process is adopted when a side wall layer is etched, so that the problems of colla...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: LI JUNFENG, WANG WENWU, ZHOU NA, YANG TAO, LI JUNJIE, HUANG YUANTAI
Format: Patent
Sprache:chi ; eng
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