Inner emitting infrared detector with 3-5 micron Si-Ge/Si heterojunction and its prepn

本发明属红外探测器技术领域，具体为一种3-5μm SiGe/Si异质结内发射红外探测器。其中的红外探测窗口为由分子束外延生长的Si#-[1-x]Ge#-[x]/Si异质结材料。该红外探测器工作波段为3-5μm，工作温度为80K，最高可达到105K，具有良好的性能。例在室温环境中可以用液态氮作致冷剂进行工作，而在太空中(温度为105K)则不需要任何制冷剂而工作；探测器还具有高的黑体响应率和黑体探测率；可采用大尺寸硅片研制；成品率高，均匀性好，适宜于制作大规模红外探测器焦平面阵列；有优越的性能价格比。...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	JIHUANG HU, XIANGJUI ZHANG
Format:	Patent
Sprache:	chi ; eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS SEMICONDUCTOR DEVICES TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE
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Beschreibung
Zusammenfassung:	本发明属红外探测器技术领域，具体为一种3-5μm SiGe/Si异质结内发射红外探测器。其中的红外探测窗口为由分子束外延生长的Si#-[1-x]Ge#-[x]/Si异质结材料。该红外探测器工作波段为3-5μm，工作温度为80K，最高可达到105K，具有良好的性能。例在室温环境中可以用液态氮作致冷剂进行工作，而在太空中(温度为105K)则不需要任何制冷剂而工作；探测器还具有高的黑体响应率和黑体探测率；可采用大尺寸硅片研制；成品率高，均匀性好，适宜于制作大规模红外探测器焦平面阵列；有优越的性能价格比。