砷化铟晶体生长装置及生长方法

本公开提供了一种砷化铟晶体生长装置及生长方法。装置包括生长容器、坩埚盖、设有炉腔的炉体以及温控装置。生长容器包括内坩埚和外坩埚，坩埚盖用于密封外坩埚，内坩埚包括第一主体部、用于容纳籽晶的第一籽晶腔和第一肩部，第一主体部位于第一籽晶腔上方；外坩埚套设于内坩埚外并与内坩埚隔开，且外坩埚的内部轮廓与内坩埚的外部轮廓匹配；生长容器位于炉腔内，炉腔由上至下依次设有第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区，温控装置设置于第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区，用于加热各温区并控制其温度；沿炉腔的上下方向，第一温区高于生长容器的顶部，第五温区低于生长容器的底部，且第一籽晶腔位于第四温区。...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Format:	Patent
Sprache:	chi
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	本公开提供了一种砷化铟晶体生长装置及生长方法。装置包括生长容器、坩埚盖、设有炉腔的炉体以及温控装置。生长容器包括内坩埚和外坩埚，坩埚盖用于密封外坩埚，内坩埚包括第一主体部、用于容纳籽晶的第一籽晶腔和第一肩部，第一主体部位于第一籽晶腔上方；外坩埚套设于内坩埚外并与内坩埚隔开，且外坩埚的内部轮廓与内坩埚的外部轮廓匹配；生长容器位于炉腔内，炉腔由上至下依次设有第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区，温控装置设置于第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区，用于加热各温区并控制其温度；沿炉腔的上下方向，第一温区高于生长容器的顶部，第五温区低于生长容器的底部，且第一籽晶腔位于第四温区。