一种大尺寸单晶取段收尾结构及其控制方法

本发明提供一种大尺寸单晶取段收尾结构,包括上段部和与上段部一体连接的下段部,上段部高度大于下段部高度,上段部最大直径与晶体等径段直径相同;下段部最大直径大于上段部最小直径且小于上段部最大直径;下段部中最大高度位于两侧最小高度之间,且从最小高度到最大高度之间为可变曲面。本发明提出的取段收尾结构为一种新型的收尾结构,尤其适用于大尺寸单晶晶体的收尾,解决了现有技术中收尾控制生产效率低的技术问题,适普性高且可控。本发明还提供一种大尺寸单晶取段收尾结构的控制方法,可以在1-1.5h内对于直径为240-310mm单晶进行取段收尾,获得收尾但不收尖式的收尾结构,不仅缩短工时且还消除位错产生,保证单晶品质,提...

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Format: Patent
Sprache:chi
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Zusammenfassung:本发明提供一种大尺寸单晶取段收尾结构,包括上段部和与上段部一体连接的下段部,上段部高度大于下段部高度,上段部最大直径与晶体等径段直径相同;下段部最大直径大于上段部最小直径且小于上段部最大直径;下段部中最大高度位于两侧最小高度之间,且从最小高度到最大高度之间为可变曲面。本发明提出的取段收尾结构为一种新型的收尾结构,尤其适用于大尺寸单晶晶体的收尾,解决了现有技术中收尾控制生产效率低的技术问题,适普性高且可控。本发明还提供一种大尺寸单晶取段收尾结构的控制方法,可以在1-1.5h内对于直径为240-310mm单晶进行取段收尾,获得收尾但不收尖式的收尾结构,不仅缩短工时且还消除位错产生,保证单晶品质,提高生产效率,降低生产成本。 The invention provides a large-size single crystal segment-taking ending structure which comprises an upper segment part and a lower segment part integrally connected with the upper segment part. Theupper segment part is higher than the lower segment part, and the maximum diameter of the upper segment part is the same as the diameter of a crystal equal-diameter segment. The maximum diameter of the lower segment part is larger than the minimum diameter of the upper segment part and smaller than the maximum diameter of the upper segment part. The maximum height of the lower segment part is located between the minimum heights of the two sides, and a variable curved surface is arranged between the minimum