SENSOR MARK AND METHOD OF MANUFACTURING SENSOR MARK
A sensor mark (17) comprises a substrate (200) having: a first deep ultra violet (DUV) absorbing layer (310, 320, 330) comprising a first material which substantially absorbs DUV radiation; a first protecting layer (600) comprising a second material; wherein: the first DUV absorbing layer has a firs...
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Format: | Patent |
Sprache: | chi ; eng |
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