SEMICONDUCTOR NANOSIZED MATERIAL

The present invention relates to a method for synthesizing a semiconductor material. 本发明涉及合成半导体材料的方法。

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Hauptverfasser: MOCATTA DAVID, NISENHOLZ YAEL, HOLTZMAN AMIR, LIDICH NINA
Format: Patent
Sprache:chi ; eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention relates to a method for synthesizing a semiconductor material. 本发明涉及合成半导体材料的方法。