SEMICONDUCTOR DEVICES

A plurality of gate electrodes are stacked on an upper surface of a substrate in a direction perpendicular to an upper surface of the substrate. A channel region penetrates through the plurality of gate electrodes to extend perpendicularly to the upper surface of the substrate. A gate dielectric lay...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	CHOI EUN YEOUNG, YOO DONG CHUL, NOH YOUNG JIN, CHOI JAE HO, YANG JAE HYUN, YANG JUN KYU, AHN JAE YOUNG
Format:	Patent
Sprache:	chi ; eng
Schlagworte:	ELECTRICITY
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