Germanium-silicon epitaxy manufacturing method

The present invention discloses a germanium-silicon epitaxy manufacturing method. The method comprises the following steps of: performing SiCoNi etching to remove an oxide layer; employing hydrogen toremove carbon; performing epitaxy manufacturing; manufacturing a protection layer to allow the prote...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: ZHENG YINCHENG
Format: Patent
Sprache:chi ; eng
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