Laser device structure of tunnel junction of multilayer vertical coupling InAsSb quantum dot

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	QU YI, LI ZHANGUO, SHI DAN, YOU MINGHUI, MA XIAOHUI, GAO XIN, WANG YONG, QIAO ZHONGLIANG, WEI ZHIPENG, WANG XIAOHUA, LIU GUOJUN, OU RENXIA, BO BAOXUE, LI LIN, XIN DESHENG, DENG YUN, ZHANG JIANJIA
Format:	Patent
Sprache:	chi ; eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS DEVICES USING STIMULATED EMISSION ELECTRICITY
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