LED (light-emitting diode) chip with P-type AlGaN layer structure and preparation method thereof

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	NIU FENGJUAN, LIU RUISEN, MIAO ZHENLIN, ZHANG YU, YU XIAOMING
Format:	Patent
Sprache:	chi ; eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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