Method for measuring gate source capacitance of field effect transistor under multi-bias

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	PU YAN, YUAN TINGTING, OUYANG SIHUA, WANG LIANG, LIU XINYU
Format:	Patent
Sprache:	chi ; eng
Schlagworte:	MEASURING MEASURING ELECTRIC VARIABLES MEASURING MAGNETIC VARIABLES PHYSICS TESTING
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