Enhancement of electron and hole mobilities in 110 Si under biaxial compressive strain

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	CHAN VICTOR,FISCHETTI MASSIMO V.,HERGENROTHER JOHN M.,IEONG MEIKEI,RENGARAJAN RAJESH,REZNICEK ALEXANDER,SOLOMON PAUL M.,SUNG CHUN-YUNG,YANG MIN
Format:	Patent
Sprache:	eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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