Semiconductor EL part building in metal layer in the adulteration layer based on set image

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	HUANG YIDONG, PENG JIANGDE, TANG XUAN, ZHANG WEI
Format:	Patent
Sprache:	chi ; eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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