Thermoelektrischer Sensor und Herstellungsverfahren

Ein thermoelektrischer Sensor (10) zur Messung von Thermospannungen mit einer Bestrahlungsseite (O) und einer Montageseite (U), umfassend eine Mehrzahl von Thermoelementen mit Messübergängen (M), welche durch Übergänge einer ersten Metalllage (1) und einer zweiten Metalllage (2) jeweils zu einer wei...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Etienne Schwyter, Michele Zahner
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Ein thermoelektrischer Sensor (10) zur Messung von Thermospannungen mit einer Bestrahlungsseite (O) und einer Montageseite (U), umfassend eine Mehrzahl von Thermoelementen mit Messübergängen (M), welche durch Übergänge einer ersten Metalllage (1) und einer zweiten Metalllage (2) jeweils zu einer weiteren Metalllage übergehend gebildet sind, wobei die beiden Metalllagen (1, 2) eine elektrisch isolierende Matrixlage (3) sandwichartig umgeben, soll einfach kostengünstig und robust gegen Laserstrahlen geschützt herstellbar sein. Dies wird dadurch erreicht, dass von der Montageseite (U) eine Mehrzahl von ersten und zweiten Sacklöchern (4, 4´) die zweite Metalllage (2) und die Matrixlage (3) vollständig querend angeordnet ist, wobei die Innenwände (40) der ersten Sacklöcher (4) mit einer dritten Metalllage (5) und einer vierten Metalllage (6) bedeckt sind und die Innenwände (40´) der zweiten Sacklöcher (4´) mit der vierten Metalllage (6) bedeckt sind, womit ein thermoelektrischer Sensor (10) mit einem zur Bestrahlungsseite (O) hin geschlossenen Körper ausgebildet ist. The invention relates to a thermoelectric sensor (10) for measuring thermoelectric voltages, comprising an irradiation side (O) and an assembly side (U). The sensor comprises a plurality of thermoelements with measurement transitions (M) which are formed by the transition of a first metal layer (1) and a second metal layer (2) into another metal layer, and the two metal layers (1, 2) sandwich an electrically insulating matrix layer (3). The thermoelectric sensor is to be producible in a simple and inexpensive manner and should be robustly protected against laser beams. This is achieved in that a plurality of first and second blind holes (4, 4') are arranged so as to completely cross the second metal layer (2) and the matrix layer (3) from the assembly side (U). The inner walls (40) of the first blind holes (4) are covered by a third metal layer (5) and a fourth metal layer (6), and the inner walls (40') of the second blind holes (4') are covered by the fourth metal layer (6), thus forming a thermoelectric sensor (10) with a body which is closed towards the irradiation side (O).