Verfahren zur Herstellung von Sperrschichten mit geringem Sperrstrom in Siliciumkarbid-Halbleitern

Verfahren zur Herstellung von Sperrschichten mit geringem Sperrstrom in Siliciumkarbid-Halbleitern

Silicon carbide barrier layer devices, esp. diodes, are immersed in dilute hydrofluoric acid with reverse bias applied across the barrier layer. The etching effects a significant reduction of leakage current by limiting the volume effect current flow, e.g. with 100 V reverse voltage from typically 2...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KOENIGER,MAX, NAT. GRAMBERG,GERHARD, ADAMITZKI,WOLFGANG
Format: Patent
Sprache:ger
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:Silicon carbide barrier layer devices, esp. diodes, are immersed in dilute hydrofluoric acid with reverse bias applied across the barrier layer. The etching effects a significant reduction of leakage current by limiting the volume effect current flow, e.g. with 100 V reverse voltage from typically 200 uA to 0.02/ua.