A-AXIS JOSEPHSON JUNCTIONS WITH IMPROVED SMOOTHNESS

According to various implementations of the invention, high quality a-axis XBCO may be grown with low surface roughness. According to various implementations of the invention, low surface roughness may be obtained by: 1) adequate substrate preparation; 2) calibration of flux rates for constituent at...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	ROBSON, MITCH, LEBBY, MICHAEL S, HARTMANN, DAVIS H
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY LAYERED PRODUCTS LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT ORNON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM METALLURGY PERFORMING OPERATIONS PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH TRANSPORTING UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	According to various implementations of the invention, high quality a-axis XBCO may be grown with low surface roughness. According to various implementations of the invention, low surface roughness may be obtained by: 1) adequate substrate preparation; 2) calibration of flux rates for constituent atoms; and/or 3) appropriate control of temperature during crystal growth. According to various implementions of the invention, a wafer comprises a smoothing layer of c-axis XBCO; a first conducting layer of a-axis XBCO formed on the smoothing layer; an insulating layer formed on the first conducting layer; and a second conducting layer of a-axis XBCO formed on the insulating layer, where, for a same surface roughness, a thickness of the smoothing layer and the first conducting layer combined is greater than a thickness of the first conducting layer without the smoothing layer. Selon divers modes de réalisation de l'invention, un YBCO à axe A de haute qualité peut être développé avec une faible rugosité de surface. Selon divers modes de réalisation de l'invention, une faible rugosité de surface peut être obtenue par: 1) la préparation adéquate du substrat; 2) l'étalonnage des débits pour les atomes constitutifs; et/ou 3) le contrôle approprié de la température pendant la croissance des cristaux. Selon divers modes de réalisation de l'invention, une tranche comprend une couche de lissage de YBCO à axe C; une première couche conductrice d'un YBCO à axe A formée sur la couche de lissage; une couche isolante formée sur la première couche conductrice; et une seconde couche conductrice d'un YBCO à axe A formé sur la couche isolante, où, pour une même rugosité de surface, une épaisseur de la couche de lissage et de la première couche conductrice combinée est supérieure à une épaisseur de la première couche conductrice sans la couche de lissage.