CIRCUIT FOR DOWNLINK/UPLINK OPERATIONAL MODE SWITCHING IN A TDD WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM

The circuit (C) for downlink/uplink operational mode switching in a TDD wireless communication system comprises a field-effect transistor (RF FET) operatively connected to a power amplifier (PA) on the downlink path (DL) of a RF front-end apparatus in a TDD wireless communication system, a first voltage generator (VgsOFF) connected to a large-value first resistor (Rhold), a second voltage generator (VGate) connected to a second resistor (RGate), a large- value hold capacitor (Chold), and a sample-and-hold circuit configured to be switched between a reception (Rx) configuration, wherein the first voltage generator (VgsOFF) is connected to the gate (G) of the field- effect transistor (RF FET) and the large- value capacitor (Chold) is connected to the first voltage generator (VgsOFF) through the first resistor (Rhold), and a transmission (Tx) configuration, wherein the gate (G) of the field-effect transistor (RF FET) is connected to the hold capacitor (Chold) and the hold capacitor (Chold) is connected to the second voltage generator (VGate) through the second resistor (RGate). Circuit (C) pour une commutation de mode de fonctionnement de liaison descendante/liaison montante dans un système de communication sans fil TDD comprenant un transistor à effet de champ (RF FET) connecté de manière fonctionnelle à un amplificateur de puissance (PA) sur le trajet de liaison descendante (DL) d'un appareil frontal RF dans un système de communication sans fil TDD, un premier générateur de tension VgsOFF) connecté à une première résistance de grande valeur (Rhold), un second générateur de tension (VGate) connecté à une seconde résistance (RGate), un condensateur de maintien de grande valeur (Chold) et un circuit échantillonneur-bloqueur configuré pour être commuté entre une configuration de réception (Rx), le premier générateur de tension (VgsOFF) est relié à la grille (G) du transistor à effet de champ (RF FET) et le condensateur de grande valeur (Chold) est connecté au premier générateur de tension (VgsOFF) via la première résistance (Rhold), et une configuration de transmission (Tx), la grille (G) du transistor à effet de champ (RF FET) est reliée au condensateur de maintien (Chold) et le condensateur de maintien (Chold) est connecté au second générateur de tension (VGate) via la seconde résistance (RGate).