OPTICAL ABSORPTION FILTER FOR AN INTEGRATED DEVICE
Apparatus and methods relating to attenuating excitation radiation incident on a sensor (1-122) in an integrated device that is used for sample analysis are described. At least one semiconductor film (1-336) of a selected material and crystal morphology is located between a waveguide (1-115) and a s...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | AHMAD, FAISAL R SHEN, BING COUMANS, MICHAEL SCHMID, GERARD KABIRI, ALI BELLOS, MICHAEL ROTHBERG, JONATHAN M HOSALI, SHARATH PRESTON, KYLE BEACH, JAMES |
| description | Apparatus and methods relating to attenuating excitation radiation incident on a sensor (1-122) in an integrated device that is used for sample analysis are described. At least one semiconductor film (1-336) of a selected material and crystal morphology is located between a waveguide (1-115) and a sensor (1-122) in an integrated device that is formed on a substrate (1-105). Rejection ratios greater than 100 or more can be obtained for excitation and emission wavelengths that are 40 nm apart for a single layer of semiconductor material (1-135).
L'invention concerne un appareil et des procédés se rapportant à l'atténuation d'un rayonnement d'excitation incident sur un capteur (1-122) dans un dispositif intégré qui est utilisé pour une analyse d'échantillon. Au moins un film semi-conducteur (1-336) présentant un matériau sélectionné et une morphologie cristalline est situé entre un guide d'ondes (1-115) et un capteur (1-122) dans un dispositif intégré qui est formé sur un substrat (1-105). Des taux de rejet supérieurs à 100 ou plus peuvent être obtenus pour des longueurs d'onde d'excitation et d'émission qui sont espacées de 40 nm pour une couche unique de matériau semi-conducteur (1-135). |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_CA3131274A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>CA3131274A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_CA3131274A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZDDyDwjxdHb0UXB0CvYPArL9_RTcPH1CXIMU3PyDFBz9FDz9QlzdgxxDXF0UXFzDPJ1deRhY0xJzilN5oTQ3g4Kba4izh25qQX58anFBYnJqXmpJvLOjsaGxoZG5iaOhMRFKACQfJik</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>OPTICAL ABSORPTION FILTER FOR AN INTEGRATED DEVICE</title><source>esp@cenet</source><creator>AHMAD, FAISAL R ; SHEN, BING ; COUMANS, MICHAEL ; SCHMID, GERARD ; KABIRI, ALI ; BELLOS, MICHAEL ; ROTHBERG, JONATHAN M ; HOSALI, SHARATH ; PRESTON, KYLE ; BEACH, JAMES</creator><creatorcontrib>AHMAD, FAISAL R ; SHEN, BING ; COUMANS, MICHAEL ; SCHMID, GERARD ; KABIRI, ALI ; BELLOS, MICHAEL ; ROTHBERG, JONATHAN M ; HOSALI, SHARATH ; PRESTON, KYLE ; BEACH, JAMES</creatorcontrib><description>Apparatus and methods relating to attenuating excitation radiation incident on a sensor (1-122) in an integrated device that is used for sample analysis are described. At least one semiconductor film (1-336) of a selected material and crystal morphology is located between a waveguide (1-115) and a sensor (1-122) in an integrated device that is formed on a substrate (1-105). Rejection ratios greater than 100 or more can be obtained for excitation and emission wavelengths that are 40 nm apart for a single layer of semiconductor material (1-135).
L'invention concerne un appareil et des procédés se rapportant à l'atténuation d'un rayonnement d'excitation incident sur un capteur (1-122) dans un dispositif intégré qui est utilisé pour une analyse d'échantillon. Au moins un film semi-conducteur (1-336) présentant un matériau sélectionné et une morphologie cristalline est situé entre un guide d'ondes (1-115) et un capteur (1-122) dans un dispositif intégré qui est formé sur un substrat (1-105). Des taux de rejet supérieurs à 100 ou plus peuvent être obtenus pour des longueurs d'onde d'excitation et d'émission qui sont espacées de 40 nm pour une couche unique de matériau semi-conducteur (1-135).</description><language>eng ; fre</language><subject>INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES ; MEASURING ; OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS ; OPTICS ; PHYSICS ; TESTING</subject><creationdate>2020</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200910&DB=EPODOC&CC=CA&NR=3131274A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25562,76317</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200910&DB=EPODOC&CC=CA&NR=3131274A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>AHMAD, FAISAL R</creatorcontrib><creatorcontrib>SHEN, BING</creatorcontrib><creatorcontrib>COUMANS, MICHAEL</creatorcontrib><creatorcontrib>SCHMID, GERARD</creatorcontrib><creatorcontrib>KABIRI, ALI</creatorcontrib><creatorcontrib>BELLOS, MICHAEL</creatorcontrib><creatorcontrib>ROTHBERG, JONATHAN M</creatorcontrib><creatorcontrib>HOSALI, SHARATH</creatorcontrib><creatorcontrib>PRESTON, KYLE</creatorcontrib><creatorcontrib>BEACH, JAMES</creatorcontrib><title>OPTICAL ABSORPTION FILTER FOR AN INTEGRATED DEVICE</title><description>Apparatus and methods relating to attenuating excitation radiation incident on a sensor (1-122) in an integrated device that is used for sample analysis are described. At least one semiconductor film (1-336) of a selected material and crystal morphology is located between a waveguide (1-115) and a sensor (1-122) in an integrated device that is formed on a substrate (1-105). Rejection ratios greater than 100 or more can be obtained for excitation and emission wavelengths that are 40 nm apart for a single layer of semiconductor material (1-135).
L'invention concerne un appareil et des procédés se rapportant à l'atténuation d'un rayonnement d'excitation incident sur un capteur (1-122) dans un dispositif intégré qui est utilisé pour une analyse d'échantillon. Au moins un film semi-conducteur (1-336) présentant un matériau sélectionné et une morphologie cristalline est situé entre un guide d'ondes (1-115) et un capteur (1-122) dans un dispositif intégré qui est formé sur un substrat (1-105). Des taux de rejet supérieurs à 100 ou plus peuvent être obtenus pour des longueurs d'onde d'excitation et d'émission qui sont espacées de 40 nm pour une couche unique de matériau semi-conducteur (1-135).</description><subject>INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES</subject><subject>MEASURING</subject><subject>OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS</subject><subject>OPTICS</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>TESTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2020</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDDyDwjxdHb0UXB0CvYPArL9_RTcPH1CXIMU3PyDFBz9FDz9QlzdgxxDXF0UXFzDPJ1deRhY0xJzilN5oTQ3g4Kba4izh25qQX58anFBYnJqXmpJvLOjsaGxoZG5iaOhMRFKACQfJik</recordid><startdate>20200910</startdate><enddate>20200910</enddate><creator>AHMAD, FAISAL R</creator><creator>SHEN, BING</creator><creator>COUMANS, MICHAEL</creator><creator>SCHMID, GERARD</creator><creator>KABIRI, ALI</creator><creator>BELLOS, MICHAEL</creator><creator>ROTHBERG, JONATHAN M</creator><creator>HOSALI, SHARATH</creator><creator>PRESTON, KYLE</creator><creator>BEACH, JAMES</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20200910</creationdate><title>OPTICAL ABSORPTION FILTER FOR AN INTEGRATED DEVICE</title><author>AHMAD, FAISAL R ; SHEN, BING ; COUMANS, MICHAEL ; SCHMID, GERARD ; KABIRI, ALI ; BELLOS, MICHAEL ; ROTHBERG, JONATHAN M ; HOSALI, SHARATH ; PRESTON, KYLE ; BEACH, JAMES</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_CA3131274A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2020</creationdate><topic>INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES</topic><topic>MEASURING</topic><topic>OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS</topic><topic>OPTICS</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>TESTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>AHMAD, FAISAL R</creatorcontrib><creatorcontrib>SHEN, BING</creatorcontrib><creatorcontrib>COUMANS, MICHAEL</creatorcontrib><creatorcontrib>SCHMID, GERARD</creatorcontrib><creatorcontrib>KABIRI, ALI</creatorcontrib><creatorcontrib>BELLOS, MICHAEL</creatorcontrib><creatorcontrib>ROTHBERG, JONATHAN M</creatorcontrib><creatorcontrib>HOSALI, SHARATH</creatorcontrib><creatorcontrib>PRESTON, KYLE</creatorcontrib><creatorcontrib>BEACH, JAMES</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>AHMAD, FAISAL R</au><au>SHEN, BING</au><au>COUMANS, MICHAEL</au><au>SCHMID, GERARD</au><au>KABIRI, ALI</au><au>BELLOS, MICHAEL</au><au>ROTHBERG, JONATHAN M</au><au>HOSALI, SHARATH</au><au>PRESTON, KYLE</au><au>BEACH, JAMES</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>OPTICAL ABSORPTION FILTER FOR AN INTEGRATED DEVICE</title><date>2020-09-10</date><risdate>2020</risdate><abstract>Apparatus and methods relating to attenuating excitation radiation incident on a sensor (1-122) in an integrated device that is used for sample analysis are described. At least one semiconductor film (1-336) of a selected material and crystal morphology is located between a waveguide (1-115) and a sensor (1-122) in an integrated device that is formed on a substrate (1-105). Rejection ratios greater than 100 or more can be obtained for excitation and emission wavelengths that are 40 nm apart for a single layer of semiconductor material (1-135).
L'invention concerne un appareil et des procédés se rapportant à l'atténuation d'un rayonnement d'excitation incident sur un capteur (1-122) dans un dispositif intégré qui est utilisé pour une analyse d'échantillon. Au moins un film semi-conducteur (1-336) présentant un matériau sélectionné et une morphologie cristalline est situé entre un guide d'ondes (1-115) et un capteur (1-122) dans un dispositif intégré qui est formé sur un substrat (1-105). Des taux de rejet supérieurs à 100 ou plus peuvent être obtenus pour des longueurs d'onde d'excitation et d'émission qui sont espacées de 40 nm pour une couche unique de matériau semi-conducteur (1-135).</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; fre |
| recordid | cdi_epo_espacenet_CA3131274A1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES MEASURING OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS OPTICS PHYSICS TESTING |
| title | OPTICAL ABSORPTION FILTER FOR AN INTEGRATED DEVICE |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-10T00%3A01%3A43IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=AHMAD,%20FAISAL%20R&rft.date=2020-09-10&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ECA3131274A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |