OPTICAL ABSORPTION FILTER FOR AN INTEGRATED DEVICE

Apparatus and methods relating to attenuating excitation radiation incident on a sensor (1-122) in an integrated device that is used for sample analysis are described. At least one semiconductor film (1-336) of a selected material and crystal morphology is located between a waveguide (1-115) and a sensor (1-122) in an integrated device that is formed on a substrate (1-105). Rejection ratios greater than 100 or more can be obtained for excitation and emission wavelengths that are 40 nm apart for a single layer of semiconductor material (1-135). L'invention concerne un appareil et des procédés se rapportant à l'atténuation d'un rayonnement d'excitation incident sur un capteur (1-122) dans un dispositif intégré qui est utilisé pour une analyse d'échantillon. Au moins un film semi-conducteur (1-336) présentant un matériau sélectionné et une morphologie cristalline est situé entre un guide d'ondes (1-115) et un capteur (1-122) dans un dispositif intégré qui est formé sur un substrat (1-105). Des taux de rejet supérieurs à 100 ou plus peuvent être obtenus pour des longueurs d'onde d'excitation et d'émission qui sont espacées de 40 nm pour une couche unique de matériau semi-conducteur (1-135).