PRECLEAN AND DIELECTRIC DEPOSITION METHODOLOGY FOR SUPERCONDUCTOR INTERCONNECT FABRICATION

A method is provided of forming a superconductor device interconnect structure. The method comprises forming a first dielectric layer overlying a substrate and forming a superconducting interconnect element in the first dielectric layer. The superconducting interconnect element includes a top surface aligned with a top surface of the first dielectric layer to form a first interconnect layer. The superconductor device interconnect structure is moved into a dielectric deposition chamber. The method further comprises performing a cleaning process on a top surface of the first interconnect layer in the dielectric deposition chamber to remove oxidization from a top surface of the first interconnect layer, and depositing a second dielectric layer over the first interconnect layer in the dielectric deposition chamber. L'invention concerne un procédé de formation d'une structure d'interconnexion de dispositif supraconducteur. Le procédé consiste à former une première couche diélectrique recouvrant un substrat et à former un élément d'interconnexion supraconducteur dans la première couche diélectrique. L'élément d'interconnexion supraconducteur comprend une surface supérieure alignée avec une surface supérieure de la première couche diélectrique pour former une première couche d'interconnexion. La structure d'interconnexion de dispositif supraconducteur est déplacée dans une chambre de dépôt diélectrique. Le procédé consiste en outre à effectuer un processus de nettoyage sur une surface supérieure de la première couche d'interconnexion dans la chambre de dépôt diélectrique pour éliminer l'oxydation d'une surface supérieure de la première couche d'interconnexion, et à déposer une seconde couche diélectrique sur la première couche d'interconnexion dans la chambre de dépôt diélectrique.