ANNULAR CAPACITOR RF, MICROWAVE AND MM WAVE SYSTEMS
The present invention includes a method for creating an annular capacitor adjacent to via or imbedded metal structure allowing for device to be made in close proximity to the via connecting to a ground plane. The annular capacitor in close proximity to the metal filled via or imbedded metal structur...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | The present invention includes a method for creating an annular capacitor adjacent to via or imbedded metal structure allowing for device to be made in close proximity to the via connecting to a ground plane. The annular capacitor in close proximity to the metal filled via or imbedded metal structure allows the construction of capacitors, filters, or active devices enabling a smaller RF device and/or to shunt a signal to the integrated ground plane. This reduces the RF, Electronic noise and results in a reduced device size.
La présente invention comprend un procédé de création d'un condensateur annulaire adjacent à un trou d'interconnexion ou une structure métallique intégrée permettant de réaliser le dispositif à proximité immédiate du trou d'interconnexion par connexion à un retour de masse. Le condensateur annulaire à proximité immédiate du trou d'interconnexion rempli de métal ou de la structure métallique intégrée permet la construction de condensateurs, de filtres ou de dispositifs actifs permettant à un dispositif RF plus petit et/ou de dériver un signal vers le retour de masse intégré. Ceci permet de réduire le bruit électronique RF et d'obtenir une taille de dispositif réduite. |
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