METAL-SILICIDE-NITRIDATION FOR STRESS REDUCTION
A pellicle for a lithographic apparatus, wherein the pellicle comprises nitridated metal silicide or nitridated silicon as well as a method of manufacturing the same. Also disclosed is the use of a nitridated metal silicide or nitridated silicon pellicle in a lithographic apparatus. Also disclosed i...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | A pellicle for a lithographic apparatus, wherein the pellicle comprises nitridated metal silicide or nitridated silicon as well as a method of manufacturing the same. Also disclosed is the use of a nitridated metal silicide or nitridated silicon pellicle in a lithographic apparatus. Also disclosed is a pellicle for a lithographic apparatus comprising at least one compensating layer selected and configured to counteract changes in the transmissivity of the pellicle upon exposure to EUV radiation as well as a method of controlling the transmissivity of a pellicle and a method of designing a pellicle.
La présente invention concerne une pellicule destinée à un appareil lithographique, la pellicule comprenant un siliciure métallique nitruré ou un silicium nitruré, et son procédé de fabrication. L'invention concerne également l'utilisation d'une pellicule en siliciure métallique nitruré ou en silicium nitruré dans un appareil lithographique. En outre, l'invention concerne une pellicule destinée à un appareil lithographique comprenant au moins une couche de compensation sélectionnée et configurée pour contrebalancer les changements de transmissivité de la pellicule lors d'une exposition à un rayonnement UV extrême, ainsi qu'un procédé de contrôle de la transmissivité d'une pellicule et un procédé de conception d'une pellicule. |
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