SEMICONDUCTOR DEVICE

This semiconductor device is provided with: a gate electrode trench that is formed in contact with a drift region, a well region, and a source region; a gate electrode that is formed on the surface of the gate electrode trench via an insulating film; a source electrode trench in contact with the gate electrode trench; a source electrode electrically connected to the source region; and gate wiring, which is electrically insulated from the source electrode, and is formed in the source electrode trench by being in contact with the gate electrode. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comportant : une tranchée d'électrode de grille formée en contact avec une région de dérive, une région de puits et une région de source ; une électrode de grille formée sur la surface de la tranchée d'électrode de grille par le biais d'un film isolant ; une tranchée d'électrode de source en contact avec la tranchée d'électrode de grille ; une électrode de source connectée électriquement à la région de source ; et un câblage de grille, isolé électriquement de l'électrode de source, et formé dans la tranchée d'électrode de source en étant en contact avec l'électrode de grille.