STANDARD CELL ARCHITECTURE FOR DIFFUSION BASED ON FIN COUNT

Disclosed systems and methods pertain to finfet based integrated circuits designed with logic cell architectures which support multiple diffusion regions for n-type (503, 504) and p-type (501, 502) diffusions. Different diffusion regions of each logic cell can have different widths or fin counts. Abutting two logic cells is enabled based on like fin counts for corresponding p-diffusion regions and n-diffusion regions of the two logic cells. Diffusion fills are used at common edges (570) between the two logic cells for extending lengths of diffusion, based on the like fin counts. The logic cell architectures support via redundancy and the ability to selectively control threshold voltages of different logic cells with implant tailoring. Half-row height cells can be interleaved with standard full-row height cells. Les systèmes et procédés divulgués appartiennent aux circuits intégrés à base de finfet conçus avec des architectures de cellules logiques qui supportent de multiples régions de diffusion pour des diffusions de type n (503, 504) et de type p (501, 502). Différentes régions de diffusion de chaque cellule logique peuvent avoir des largeurs ou nombres d'ailettes différents. La mise en butée de deux cellules logiques est possible en fonction du nombre d'ailettes similaires pour des régions de diffusion p et des régions de diffusion n correspondantes des deux cellules logiques. Des charges de diffusion sont utilisées au niveau de bords communs (570) entre les deux cellules logiques pour augmenter les longueurs de diffusion, sen fonction du nombre d'ailettes similaires. Les architectures de cellules logiques supportent la redondance de trous d'interconnexion et la capacité à commander sélectivement les tensions de seuil de différentes cellules logiques avec l'adaptation de l'implant. Les cellules avec une hauteur de demi-rangée peuvent être entrelacées avec des cellules avec une hauteur de rangée complète standard.