NANOWIRES/NANOPYRAMIDS SHAPED LIGHT EMITTING DIODES AND PHOTODETECTORS

A light emitting diode device comprising: a plurality of nanowires or nanopyramids grown on a graphitic substrate, said nanowires or nanopyramids having a p-n or p-i-n junction, a first electrode in electrical contact with said graphitic substrate; a light reflective layer in contact with the top of at least a portion of said nanowires or nanopyramids, said light reflective layer optionally acting as a second electrode; optionally a second electrode in electrical contact with the top of at least a portion of said nanowires or nanopyramids, said second electrode being essential where said light reflective layer does not act as an electrode; wherein said nanowires or nanopyramids comprise at least one group III-V compound semiconductor; and wherein in use light is emitted from said device in a direction substantially opposite to said light reflective layer. L'invention concerne un dispositif à diodes électroluminescentes comprenant : une pluralité de nanofils ou de nanopyramides formés par croissance sur un substrat graphitique, lesdits nanofils ou nanopyramides comportant une jonction p-n ou p-i-n, une première électrode en contact électrique avec ledit substrat graphitique ; une couche réfléchissant la lumière en contact avec le haut d'au moins une partie desdits nanofils ou nanopyramides, ladite couche réfléchissant la lumière servant optionnellement de deuxième électrode ; optionnellement une deuxième électrode en contact électrique avec le haut d'au moins une partie desdits nanofils ou nanopyramides, ladite deuxième électrode étant essentielle lorsque ladite couche réfléchissant la lumière ne sert pas d'électrode ; lesdits nanofils ou nanopyramides comprenant au moins un semi-conducteur composé du groupe III-V ; et la lumière étant émise par ledit dispositif dans une direction sensiblement opposée à ladite couche réfléchissant la lumière en utilisation.