METHOD OF MANUFACTURING AN INK-JET PRINTHEAD

The present application relates to a method of manufacturing an ink-jet printhead which can be carried out faster, allows for more reliably and/or more efficiently providing an ink-jet printhead having a silicon orifice plate, a hydraulic structure layer and a silicon substrate, avoids surface defects of the silicon orifice plate which could affect the printing quality obtained from the printhead. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une tête d'impression à jet d'encre, lequel procédé met en uvre : la disposition d'un substrat de silicium (10) comprenant des éléments actifs d'éjection (11) ; la disposition d'une couche de structure hydraulique (20) pour définir des circuits hydrauliques conçus pour permettre un écoulement d'encre guidé ; la réalisation d'une plaque à orifices en silicium (30) ayant une pluralité de buses (31) pour l'éjection de l'encre ; l'assemblage du substrat de silicium (10) avec la couche de structure hydraulique (20) et la plaque à orifices en silicium (30) ; la réalisation de la plaque à orifices en silicium (30) comprenant les étapes suivantes: prendre une tranche de silicium (40) ayant une extension plane délimitée par une première surface (41) et une seconde surface (42) sur des côtés opposés de la tranche de silicium (40) ; exécuter un amincissement au niveau de la seconde surface (42) de façon à retirer à partir de la seconde surface (42) une partie centrale (43) ayant une hauteur prédéterminée (H), la tranche de silicium (40) étant formée, après l'étape d'amincissement, par une partie de base (44) ayant une extension plane et une partie périphérique (45) qui s'étend à partir de la partie de base ( (44), transversalement par rapport à l'extension plane de la partie de base (44) ; et former dans la tranche de silicium (40) une pluralité de trous traversants, délimitant chacun une buse respective (31) pour l'éjection de l'encre. Le procédé selon la présente invention est caractérisé en ce que la tranche de silicium (40) est une tranche de silicium sur isolant, la tranche de silicium sur isolant comprenant une couche de dispositifs en silicium (38) adjacente à la première surface (41), une couche de manipulation en silicium (37) adjacente à la seconde surface (42) et une couche isolante (39) interposée entre ces dernières.