TEMPERATURE ACTUATED PANEL
An example apparatus includes a wall having an opening and a panel attached to the wall over the opening. The panel includes a shape-memory material (SMM). An example method includes bending the panel away from the wall via the panel at least partially changing from a first crystal phase to a second...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | An example apparatus includes a wall having an opening and a panel attached to the wall over the opening. The panel includes a shape-memory material (SMM). An example method includes bending the panel away from the wall via the panel at least partially changing from a first crystal phase to a second crystal phase. The panel bends away from the wall in response to a temperature of the panel increasing. The method further includes bending the panel toward the wall via the panel at least partially changing from the second crystal phase to the first crystal phase. The panel bends toward the wall in response to the temperature of the panel decreasing.
Un appareil donné à titre dexemple comprend un mur ayant une ouverture et un panneau fixé au mur par louverture. Le panneau comprend un matériau à mémoire de forme. Une méthode donnée à titre dexemple comprend le cintrage du panneau à l'écart du mur, le panneau changeant au moins partiellement dune première phase de cristal à une deuxième phase de cristal. Le panneau est cintré à l'écart du mur par suite dune augmentation de la température du panneau. La méthode comprend également le cintrage du panneau vers le mur, le panneau changeant au moins partiellement de la deuxième phase de cristal à la première phase de cristal. Le panneau est cintré vers le mur par suite dune augmentation de la température du panneau. |
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